技术编号:17545157
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于真空反应设备技术领域,具体涉及一种用于真空反应设备的破真空装置。背景技术真空反应设备被广泛应用于多个领域,例如半导体芯片加工,光学镀膜等。以半导体芯片加工为例,很多芯片制造工艺流程需要在低压(真空)反应室内完成,例如:离子注入、LPCVD(低压力化学气相沉积法)、蒸发和溅射工艺等。离子注入是在真空系统中向晶圆中注入掺杂离子,同时使用高分辨率的质量分析器,保证掺杂离子具有极高的纯度。在离子注入过程完毕后,需要通过进气口向真空反应设备中吹入气体,使得内外气压达到一致之后才可以取出晶圆,这就...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。