技术编号:17555047
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电技术领域,具体涉及一种侧面接收光的硅增益光探测阵列器件的制作方法。背景技术雪崩光电二极管(APD)是一种光敏元件,常在光通信领域中使用。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后,射入的光被P-N结吸收后会形成光电流,加大反向偏压会产生“雪崩”(即光电流成倍地激增)的现象,这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。雪崩光电二极管的工作原理是:利用光生载流子在强电场内的定向运动产生雪崩效应,以获得光电流的增益。在雪崩过程中,光生载流子在强电场的作用下高速定向运动,具有很高动...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。