技术编号:17578496
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造工艺领域,特别是指一种STI的填充方法。背景技术浅槽隔离(STI)是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种常见工艺,硅片在完成清洗烘干之后,首先在表面形成一层氧化层,这层氧化层在硅片表面作为隔离层保护有源区在后续去掉氮化层的过程中免受化学玷污。然后硅片被放入约750摄氏度高温的设备中,在设备的腔体中氨气和二氯硅烷反应,在硅片表面形成一薄层氮化硅,这层氮化硅在整个浅槽隔离形成过程中就两个作用:1,氮化硅是一层坚固的掩膜材料,有助于在浅槽隔离氧化物淀积过程中保护有源区,2...
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