技术编号:17578632
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及功率半导体模块,尤其涉及具有被部分涂覆的电源端子的功率半导体模块。背景技术功率半导体模块为若干功率半导体器件提供物理容纳,功率半导体器件诸如一个或多个功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)、BJT(双极结型晶体管)、晶闸管、JFET(结型场效应晶体管)、二极管等。功率半导体器件通常被制造在一个或多个半导体裸片中,所述半导体裸片被附接到功率电子衬底。塑料壳体与衬底一起包封功率半导体器件。在功率半导体模块内,必须实现电势之间的足够隔离距离以确保适当的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。