技术编号：17578753
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体模块的制造方法。背景技术功率半导体模块具有功率芯片和控制用芯片。功率芯片在其厚度方向上进行通电，因此功率芯片的背面成为电极。因此，为了构成多个相(桥臂)的功率半导体模块，需要多个功率芯片。作为其对策，专利文献1公开了在1个芯片形成有多个横型的功率半导体元件和控制电路的单芯片模块。专利文献1：日本特开平9－120995号公报但是，就现有的单芯片模块而言，因功率模块通电时的发热而使控制电路的温度上升。因此，就控制电路而言，需要将动作极限温度设计得高，存在电路规模变大这样的问题。发...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。