技术编号：17579031
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种超结器件的制作方法，具体是一种改善反向恢复特性的多次外延超结器件制作方法，属于半导体器件的制造技术领域。背景技术传统功率MOSFET器件的导通电阻主要由漂移区的长度和掺杂浓度决定，漂移区的长度越小，导通电阻越小，漂移区的掺杂浓度越高，导通电阻越小。然而这两方面的改变会导致器件的击穿电压降低，因此导通电阻和击穿电压是矛盾关系或者折中关系，即导通电阻的降低受击穿电压的限制。超结结构的出现打破了这种限制。超结结构是由交替排列的P型柱和N型柱代替N型漂移区，器件的耐压主要由P型柱的长度和电...
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