技术编号:17579036
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种RC-IGBT器件。背景技术在新能源、高铁、电动汽车、智能电网这些绿色产业或产品中,绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)是必不可少的核心功率器件。随着低碳、节能概念在全球范围内的普及,IGBT将会成为功率器件市场的主流产品。自诞生以来,IGBT就朝着高功率、高可靠性、低功耗和低成本的方向发展,近些年来,薄片工艺技术及高级芯片设计技术的迅速发展,使IGBT的导通压降、关断损耗以及短路安全工作区等关...
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