技术编号：17579087
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子器件优化技术领域，具体涉及一种适用于超结DMOS器件的改良结构。背景技术功率DMOS因其开关速度快、损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、频率特性好等优点， 在功率变换特别是在高频功率变换中起着重要作用。不断提高的系统性能要求功率DMOS具有更低功率损耗的同时，在高电应力下也具有更高的可靠性。具有超结（super-junction）结构的DMOS器件是近年来出现的一种重要的功率器件，它的基本原理是电荷平衡原理，通过在普通功率DMOS的漂移区中引入彼此间隔的P柱和n柱的超结结构，大大改善了...
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