技术编号:17583615
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本技术总体涉及利用存储器设备。背景技术非易失性存储器是一类存储器,其中存储器单元或元件在提供给该器件的电力移除之后不会丢失其状态。例如,最早的计算机存储器(其由可以在两个方向上磁化的铁氧体环制成)是非易失性的。随着半导体技术发展到更高水平的小型化,铁氧体器件被放弃用于更常见的易失性存储器,例如DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态RAM)。一种类型的非易失性存储器(电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)设备)具有大单元区域并且可能需要晶体管栅极上的大电压(例如,12.0至21.0伏特)...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。