技术编号：17597017
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及压力传感器以及制造压力传感器的方法。背景技术压力传感器以及制造压力传感器的方法是众所周知的。例如，在美国专利第US 7,704,774 B2号中，描述了一种压力传感器，其通过结合两个基底来进行制造，第一基底包括CMOS电路，而第二基底是SOI基底。腔室形成在第一基底的顶部材料层内，其由第二基底的硅层覆盖。将第二晶片部分的或全部的基底去除，以由硅层形成隔膜。或者，该专利还进一步描述了腔室可形成在第二基底内。第二基底电连接到第一基底上的电路。已知的设计允许使用标准的CMOS过程以将...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。