技术编号:17597407
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。背景技术随着半导体器件集成度的持续增加以及与这些器件相关的临界尺寸的持续减小,特别是进行到28nm及其以下技术节点,半导体器件由于极短沟道而凸显了各种不利的物理效应,特别是短沟道效应(Short Channel Effect,SCE),使得器件性能和可靠性退化,限制了特征尺寸的进一步缩小。通过引入应力源,可以获得更高的沟道迁移性和工作电流,改善器件的短沟道效应,从而提高器件的性能。例如,在PMOS(P-Metal-Oxide-Sem...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。