技术编号:17597551
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开实施例涉及半导体集成电路的制造方法,具体涉及包含鳍式场效晶体管(fin field effect transistors,FinFETs)和/或环绕式栅极(gate-all-around,GAA)场效晶体管(field effect transistors,FETs)的半导体装置及其制造方法。背景技术随着半导体产业已经进展至纳米技术工艺节点,以追求更高的装置密度(device density)、更高的性能及更低的成本,三维设计例如多栅极场效晶体管(field effect transist...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。