技术编号：17597560
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。背景技术随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。减小的特征结构尺寸造成器件上的结构特征的空间尺寸减小。器件上间隙与沟槽的宽度变窄到间隙深度对宽度的深宽比高到足以导致介电材料填充间隙相当不易的程度。流动式化学气相沉积法(Flowable C...
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