技术编号:17610617
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种限流保护结构,尤其涉及一种单线圈驱动电路的限流保护结构。背景技术单线圈驱动电路一般采用H桥形式作为输出结构,由于H桥本身具有上下管同时导通的风险,且在大电流驱动能力的要求下,对H桥驱动结构的限流则显得不可或缺。针对H桥输出结构的限流一般有两种方式,一种是通过串联采样电阻实现电流与电压的转换,并进一步控制H桥的导通状态;另一种是对H桥器件进行电流采样,根据一定比例采样的电流对H桥的导通状态进一步控制。如图1所示,在H桥驱动结构中,M1管和M2管为上管,M1管和M2管可为PMOS管...
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