一种环保型压接式硅芯片腐蚀屏蔽保护材料及其生产工艺的制作方法技术资料下载

技术编号:17632586

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本发明属于半导体领域,尤其涉及一种环保型压接式硅芯片腐蚀屏蔽保护材料及其生产工艺。背景技术国家一直大力提倡减少挥发性有机物VOCs的排放。传统平板压接式硅芯片的屏蔽保护工艺一般采用80#真空封蜡作为屏蔽保护材料,真空封蜡熔点为80℃,保护熔点低,对芯片的制作工艺上存在着温度和操作制约,高温后真空封蜡难以去除彻底;使用中必须用二甲苯、丙酮等有机溶剂进行溶解涂覆和去除,存在着VOCs排放量增大的环保隐患;近年来行业实施的旋转腐蚀机工艺虽然免保护,但存在着台面上阴极镀膜层边缘浅腐蚀的问题,造成镀膜电极...
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