技术编号:17632637
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电池片制造技术领域,具体涉及一种电池片对位方法及激光装置。背景技术随着晶体硅技术的不断发展,太阳能电池生产规模的扩大以及电池价格的不断降低,降低生产成本、提高效率是电池技术发展的重点。对于现有的常规perc电池,其正面具有较高的结深和磷浓度,而反射极的高复合会导致较低的开压和短路电流,而选择性发射电极是因为其在接受光照的区域低浓度掺杂,在金属栅线下高掺杂,形成横向高低结结构增加P-N结间电势差,减少扩散层复合并降低金属接触区电阻,从而使电池性能整体得到提高,且该技术可以和多种背面提效技...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。