技术编号:17652208
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种字线译码电路、SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存取存储器)以及形成方法。背景技术目前,SRAM已经广泛地应用于便携式设备和高性能处理器中。高速低功耗的SRAM是当前研究的热点,提高SRAM的存取速度,对整个系统具有重要的意义。在SRAM存取时间中,从时钟信号CLK上升到字线选择信号WL开启(即字线选择信号WL由低电平上升到高电平)的时间占有很大的比重,减小此段时间对于提高整个SRAM的速度具有非常重要的意义。通常,S...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。