技术编号:17652212
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2017年11月2日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0145467以及于2018年3月19日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0031600的优先权,上述韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入本文。技术领域本发明构思涉及一种存储装置。背景技术利用电阻的存储装置可以包括相变随机存取存储器(PRAM)、电阻RAM(ReRAM)、磁RAM(MRAM)等。这些装置是非易失性RAM类型。利用电阻的存储装置可以利用电阻变化来写入或擦除数据。发明内容根...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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