技术编号:17653899
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种纳米线晶体管及其制备方法。背景技术一直以来,缩小晶体管尺寸、提高集成电路的集成度是半导体行业永恒追求的主题。从FinFET(鳍式晶体管)到NWFET(纳米线电晶体),栅极的物理尺寸不断减小。在NWFET中,栅极厚度以及源/漏区宽度比较小,这有效地增强了栅极的调控功能。但是,自身尺寸的减小容易产生寄生电容,影响晶体管的性能。目前,为了解决这一问题,研究者提出了在栅极底部形成侧墙的技术方案,切断寄生晶体管电流的通路,改善了NWFET的直流特性。但是,目前在现有技...
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