技术编号:17653915
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开实施例涉及半导体装置与其制作方法,更特别涉及鳍状场效晶体管结构。背景技术当半导体产业朝向纳米技术的工艺节点迈进,以达更高的装置密度、更高的效能、与更低的成本时,在三维设计如鳍状场效晶体管(FinFET)面临工艺与设计的问题。一般的鳍状场效晶体管具有自基板延伸的薄的垂直鳍状物,其形成方法可为蚀刻移除基板的部分硅层,或者生长外延层于基板上。鳍状场效晶体管的沟道形成于此垂直鳍状物中。栅极位于鳍状物上,比如围绕鳍状物。制作鳍状场效晶体管具有其挑战性。举例来说,需减少n型鳍状场效晶体管中的鳍状物与p...
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