技术编号:17665074
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种半导体生产设备及半导体工艺方法。背景技术化学气相沉积(CVD)工艺在半导体芯片制造和液晶面板制造中被广泛应用,其基本原理是将一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基板的反应腔室,借助空间气相化学反应或使原料气体发生热分解而在基板表面上沉积形成薄膜。钨膜(W)沉积就是一个很好的例子,它一般是利用WF6、SiH4和B2H6这几种蒸汽压气体的热分解以及化学反应最终在晶圆表面形成稳定的钨膜。通过CVD沉积虽然能得到生产者希望的薄膜,但同时在设备腔体...
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