技术编号:17680246
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及高电子移动率晶体晶体管(HEMT)领域,尤其涉及一种防栅极漏电流的MOS-HEMT。背景技术高电子移动率晶体管(High electron mobility transistor,HEMT),也称调变掺杂场效应管 (modulation-doped FET,MODFET)是场效应晶体管的一种,它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结构,为载子提供通道。而近年来发展的氮化镓高电子移动率晶体管则凭借其良好的高频特性吸引了大量关注。高电子移动率晶体管可以在极高频下工作,因此在移动电话、卫星...
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