技术编号：17692917
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及制造相移光掩模的方法。背景技术随着半导体装置特征尺寸已减小到小于在光刻工艺中使用的光的波长的尺寸，在掩模版(reticle)上形成的特征图案边缘处的光的衍射在将掩模版图案转移到晶片光刻胶时造成分辨率(resolution)的损失。为了增大光刻图案转移的分辨率，已开发出了相移掩模(phase shift mask)，其中穿过掩模版图案的交替部分的光的波前(wavefront)的相位相对于穿过相邻部分的光被移为异相(out of phase)，以产生破坏性的干扰波前，从而减少由在掩模...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。