技术编号:17697064
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜材料技术领域,尤其是一种二硫化钼薄膜的制备方法。背景技术二硫化钼是由一层钼原子和两层硫原子构成的二维纳米材料,具有类似于石墨烯的二维层状结构,各个层相互堆叠形成块状。每个二维晶体层厚度约为0.68nm,这些层是由弱的范德瓦尔兹力结合在一起。二硫化钼是一类属于过渡金属硫族化合物的独特层状材料,其带隙随层数的改变而从间接带隙半导体变为直接带隙半导体。块状晶体MoS2的带隙为1.2eV,其电子跃迁方式间接跃迁;当厚度为单层时,MoS2的带隙可以达到1.8eV,且其电子跃迁方式转变为直接跃...
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