技术编号:17700504
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电器件制造技术领域,尤其涉及一种半导体光电器件衬底减薄方法。背景技术半导体光电器件在激光测距、激光雷达、空间激光通信等民用及国防安全领域具有重要的应用。半导体光电器件芯片制备过程中,芯片减薄工艺非常关键,减薄后样品的表面状态、厚度均匀性、完整性直接决定器件的性能、芯片质量及产品良率。制备半导体光电器件的衬底通常为GaAs、InP、GaSb、GaN等晶体圆片,机械强度较低,而目前半导体光电器件衬底的减薄通常采用垂直加压化学机械磨抛的方式,采用熔化后的固体蜡将外延片粘附在工件表面,...
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