技术编号:17735536
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2017年11月13日提交的申请号为10-2017-0150558的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。技术领域本发明的示例性实施例涉及一种存储系统。背景技术最近,学术研究人员和业界正在开发用于替代动态随机存取存储器(DRAM)和快闪存储器的下一代存储器件。提出的下一代存储器之一为使用可变电阻材料的电阻式存储器件,因为电阻根据所施加的偏压而迅速改变,因此该可变电阻材料是能够在至少两种不同的电阻状态之间切换的材料。电阻式存储器件的典型示例包括相变随机存取存储器(PCRAM...
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