以反应器进行蚀刻的方法及蚀刻系统与流程技术资料下载

技术编号:17736871

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本公开实施例涉及一种蚀刻工艺及系统,且特别涉及一种具有可旋转喷淋头的蚀刻工艺及系统。背景技术干式蚀刻是半导体制造中经常使用的工艺。在蚀刻之前,在黄光微影(photolithography)操作时,晶圆被光刻胶(photoresist)或硬遮罩(hard mask)(例如氧化物或氮化物)覆盖且暴露在电路图案下。蚀刻从图案轨迹中去除材料。在芯片制造中,图案化及蚀刻的次序可重复数次。发明内容本公开的实施例提供一种以反应器蚀刻的方法,反应器具有喷淋头,喷淋头具有顶板及底板。蚀刻方法包括(1)分别以第一气...
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