技术编号:17747809
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器技术领域,特别是涉及一种闪存编程电流产生电路及其方法。背景技术基于超级闪存(Super Flashcell)的闪存内核(flash IP),编程(program)操作需要设置选择电压SL=8.0V、字线电压WL=1.5V、位线电压BL=Vdp电压之外,还需要位线电流Idp=2.5uA的直流(dc)电流。如图1所示为目前编程操作的位线电流Idp(Idp=Ipd-Ipu)的产生电路结构图,该电路包括编程信号产生电路10、恒流源模块20和闪存单元30,编程信号产生电路10由反相器INV...
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