技术编号:17749941
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体器件技术领域,具体涉及一种功率半导体模块。背景技术功率半导体模块是电力电子器件中的核心器件,功率半导体模块主要由绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件组成,IGBT器件结合了MOSFET器件电压驱动以及BJT器件双极输出等优势,具有控制简单、高压大电流、高频低损耗等优点。因此,由IGBT器件构成的功率半导体器件已经广泛用于轨道交通、柔性直流输电等大容量应用领域,具有良好的市场前景。目前,由于功率半导体模块往往由多个...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。