技术编号:17761599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料合成领域,具体涉及纳米材料研究合成领域,更为具体的说是涉及二硫化钼、钴修饰的二硫化钼、负载Pd的纳米片及其合成方法和应用。背景技术随着世界能源需要和环境问题的日益增加,寻找清洁能源迫在眉睫。近年来,氢燃料电池的开发利用,进一步拓宽了能源领域的研究范围。而在设计氢燃料电池的过程中,提高析氢反应(HER)的反应效率(降低HER过电位)成为商业化应用的关键。近年来,研究者从实验(Norskv团队)和理论上(Jaramillo团队)发现层状MoS2的Mo边缘具有最佳的H吸附能(ΔGH=0....
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。