技术编号:17786078
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种芯片模组、晶圆级芯片封装结构及封装方法。背景技术基于TSV(硅通孔)技术的晶圆级芯片封装工艺,是在晶圆基底的非功能面上做开孔,该开孔从晶圆的非功能面延伸到晶圆的功能面,并暴露出功能面的焊垫,在开孔内壁铺设金属线路,将焊垫的电性引到晶圆的非功能面,在非功能面上制备凸点后,切割形成单颗芯片封装结构。其中,晶圆上的通孔加工是TSV技术的核心,主要有两种,一种是深反应离子刻蚀,另一种是激光钻孔;深反应离子刻蚀技术须借助厚膜光刻技术,在晶圆表面预先形成通孔图形,成...
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