技术编号:17797745
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种多层MOS器件及其制备方法。背景技术CMOS集成电路微缩持续发展,器件从2D平面结构到3D FinFET,再到3D Lateral GAA NW FET和3D Vertical GAA NW FET,未来将发展到纵向单芯片三维集成(M3D)。基于CMOS集成电路的微系统集成也从三维封装、系统级封装(SiP)、多芯片三维系统集成(3D-SoC)向单芯片三维集成(3D-IC)方向发展,以持续减少微系统体积、减少电路延迟和功耗,大幅提升系统性能。通过上述单芯...
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