技术编号：17800536
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种静电卡盘及反应腔室。背景技术目前，采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，以下简称PVD)技术制备Al薄膜被广泛应用于半导体制备领域，而制备Al薄膜的工艺过程中，由于腔体内的杂质而引起薄膜材料异常生长产生刺形或角形的晶须缺陷是普遍存在的问题。晶须缺陷的尺寸足够大时会影响产品良率。因此，控制Al薄膜沉积过程中杂质的产生是控制晶须缺陷产生的重要手段和措施。在使用PVD设备进行Al薄膜的沉积工艺时，为了固定、支撑及传送晶片(W...
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