技术编号:17800577
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体集成电路设计及制造领域,特别是涉及一种浅沟槽隔离结构及其制作方法。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的信息存储量以及更多的功能,半导体芯片向更高集成度方向发展,即半导体器件的特征尺寸(CD,Critical Dimension)越小,而半导体芯片的集成度越高。目前,半导体集成电路通常包含有源区和位于有源区之间的隔离区,这些隔离区在制造有源器件之前形成。伴随着半导体工艺进入深亚微米时代,半导体器件的有源区隔离层已大多采用浅沟槽隔离工艺(...
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