技术编号:17813383
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本揭露是有关于一种半导体装置。背景技术晶体管包含用于形成源区域及漏极区域的半导体区域。由于在金属接触插塞与半导体区域之间的接触电阻是高的,因此金属硅化物在半导体区域(例如硅区域、锗区域、锗硅区域)的表面上形成,以降低接触电阻。接触插塞的形成是为了用来接触硅化物区域,且在接触插塞与硅化物区域之间的接触电阻是低的。发明内容一种半导体装置包含第一及第二磊晶结构、第一及第二顶部金属合金层、及第一及第二底部金属合金层。第一及第二磊晶结构具有不同的剖面。第一及第二顶部金属合金层分别与第一及第二磊晶结构接触。...
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