技术编号:17815847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本技术涉及一种保护诸如氮化镓(GaN)器件之类的器件免受能够损坏或毁坏该器件的操作条件影响的电路。相关技术近年来,GaN半导体材料因其良好的电学和电光特性而受到广泛关注。GaN具有约3.4eV的宽直接带隙。由于其宽带隙,与硅和砷化镓等更常见的半导体材料相比,GaN更能抵抗雪崩击穿并且具有更高的固有场强。另外,与硅或砷化镓等其他半导体相比,GaN能够在更高的温度下保持其电学性能。与硅相比,GaN还具有更高的载流子饱和速度。另外,GaN具有纤锌矿晶体结构,是一种硬材料,具有很高的导热性、并且...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。