技术编号:17847077
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子元器件的新材料,即一种高强度高导热氮化硅基板的生产方法。背景技术随着人类的技术发展,电力驱动的机动设备越来越多,飞机、高铁、轮船、电动汽车等都在向电力驱动方向发展,其意义是环保、降低污染,节能、自动化水平高。由于电力驱动功率大,控制电动机的绝缘栅双极晶体管(IGBT),大功率器件,它的散热问题变得非常重要,过去常用的氧化铝陶瓷基板做导热基板,但其抗弯强度不高,在300MPa左右,导热率不高,一般在20W/mk左右,氮化铝陶瓷基板导热率大于120 W/mk,但抗弯强度不高,在300M...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。