技术编号:17848586
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路器件,尤其是涉及一种具有对准测量图形的集成电路器件、形成对准测量图形的方法以及光掩模。背景技术半导体集成电路自诞生以来,经历了从小规模、中规模到大规模和超大规模集成的发展阶段,并日益成为现代科学技术中最为活跃的技术领域之一。光刻作为半导体集成电路制造和生产过程中的一个重要工艺,是对半导体芯片表面的掩蔽物进行开孔,以进行杂质定域扩散的一种加工技术。光刻工艺利用了光刻胶在经过光化学反应后具有耐蚀性的特点,能够将光掩模上的光刻图形刻蚀到集成电路器件表面。通过调整光刻工艺中的各项参...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。