技术编号:17849275
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本揭露是关于用以半导体装置及其制造方法。背景技术在过去几十年,半导体集成电路产业经历了指数性的成长。在集成电路演 变过程中,功能密度(即每晶片面积的内连接装置的数量)大体上增加,而几 何尺寸(即制程所能产生的最小组件(或线))缩小。在一些集成电路设计 中,随着技术节点(technology node)缩小,技术的进展至使用金属栅极代替 多晶硅栅极,以通过缩小的特征尺寸来改善装置性能。超快闪技术使设计者能够通过使用分栅快闪记忆体单元来创建低成本且 高性能的可编程晶片上系统(system on ch...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。