技术编号：17849304
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种门极可关断晶闸管及其制作方法。背景技术门极可关断晶闸管(Gate-Turn-OffThyristor，简称GTO)的基本结构是由P1N1P2N2四层半导体层组成的三结(J1、J2、J3)三端(阳极、阴极、门极)器件，请参见图1，它的门极和阴极均独立存在。其四层结构可以等效为P1N1P2晶体管和N2P2N1晶体管的耦合，这两个晶体管的电流放大系数分别用β1和β2表示。当β1+β2>1时，门极可关断晶闸管导通，通常N2P2N1晶体管处于临界饱和状态，门极可关...
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