技术编号：17854883
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可控硅的保护和启动技术领域，尤其涉及一种可控硅的保护及软启动电路。背景技术在许多交流设备中会用可控硅做控制，但使用可控硅过程中可控硅容易损坏：第一，交流设备在运行过程中，各种干扰使得在可控硅两端产生较大干扰，其尖峰电压经常超可控硅的极限电压从而损坏可控硅，常用的方法是在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。如图5所示为常用的可控硅的RC阻容电路，但RC阻容电路尽管可以限制电压的上升，但由于电阻的存在，尖峰电压不能被完全吸收，其过高电压仍可能击穿...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。