技术编号:17857906
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳化硅开关器件拓扑。背景技术当前广泛使用的开关器件主要是硅基底的MOSFET和IGBT。硅基底MOSFET开关损耗低,但要做到1700V及以上耐压则导通损耗很高,IGBT导通损耗低,但由于尾流则开关损耗很高,一般不能用于很高的开关频率,如10kHz以上。而使用碳化硅基底的MOSFET开关器件,相对硅基底的MOSFET具有低导通损耗的优点,相对IGBT具有低尾流低开关损耗的优点。单体碳化硅MOSFET往往功率较小,当需要用在更大功率的场合时,需要并联使用以增加通过电流能力。但并联碳化...
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