NMOS器件的制作方法技术资料下载

技术编号:17878613

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本实用新型属于集成电路技术领域,特别涉及一种NMOS器件。背景技术传统的Si基器件,以其低功耗、低噪声、高集成度、可靠性好等优点在集成电路(IC,Integrated Circuit)领域占据着重要的地位。微电子技术的发展一直沿着在两个方向进行,一是不断缩小芯片的特征尺寸,在20世纪80年代末90年代初,芯片特征尺寸缩小到1μm以下,90年代末达到0.18μm,目前45nm集成电路已进入大规模的生产时期,在单个芯片上可集成约几十亿个晶体管。这不仅提高了集成度,同时也使其速度、功耗、可靠性等大大地...
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