技术编号:17878620
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其是一种硅片选择性发射极对位结构。背景技术随着光伏技术的不断发展,提高转化效率与降低成本这两方面已经成为光伏行业技术发展的两大主题。尤其在光伏产业化规模发展阶段,更高的效率与更低的成本是光伏行业发展的关键。钝化发射极技术是晶硅太阳能电池近年来最具性价比的效率提升手段,目前行业内开始逐步应用。如图1所示,为叠加了选择性发射极技术的PERC晶体硅太阳能电池的结构,包括硅片1,轻度掺杂2,重度掺杂3,银硅合金4,氮化硅/氮氧化硅减反射薄膜5,硅片正面银栅线6。目前常...
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