技术编号:17879852
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子电路设计领域,更具体地,涉及一种应用于GaN功率模块中HEMT器件栅极驱动和保护的欠压封锁电路。背景技术以硅材料为基础的传统电力电子功率器件已逐步逼近其理论极限,难以满足电力电子技术高频化和高功率密度化的发展需求。与传统的Si器件相比, GaN器件展现了其在导通电阻和栅极电荷上的优势,可以使功率转换器实现更小体积、更高频率及更高效率,从而在汽车、通信、工业等领域中具有广阔的应用前景。开关频率的提高,不仅能有效地减小系统电路中电容、电感及变压器的尺寸,而且还可以抑制干扰、减小纹波、改...
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