技术编号:17881141
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要属于同质结制备技术领域,具体涉及过渡金属硫族化合物同质结、同质结二极管及同质结的制备方法。背景技术相比于异质结,同质结以其完美匹配的能带结构带来的更小的界面接触电阻,更少载流子陷阱,良好的整流特性和超高的光电转换效率,在电子学、光电子学等领域受到了广泛的关注。另一方面,2004年以来以石墨烯为代表的二维纳米材料,在包括电子学和光电子学领域取得了重要进展。2011年,瑞士的B.Radisavljevic等人发现单层二硫化钼为代表的过渡金属硫族化合物,这或将成为下一种值得研究的二维纳米材料...
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