技术编号:17881196
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件制造方法,特别是涉及一种具有高迁移率沟道的FinFET型CMOS制作方法。背景技术在当前的亚20nm技术中,三维多栅器件(FinFET或Tri--gate)是主要的器件结构,这种结构增强了栅极控制能力、抑制了漏电与短沟道效应。例如,双栅SOI结构的MOSFET与传统的单栅体Si或者SOI MOSFET相比,能够抑制短沟道效应(SCE)以及漏致感应势垒降低(DIBL)效应,具有更低的结电容,能够实现沟道轻掺杂,可以通过设置金属栅极的功函数来调节阈值电压,能够得到约2倍的驱动...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。