技术编号:17890391
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及其制造领域,特别涉及一种3D NAND存储器件及其制造方法。背景技术NAND存储器件是具有功耗低、质量轻且性能佳的非易失存储产品,在电子产品中得到了广泛的应用。平面结构的NAND器件已近实际扩展的极限,为了进一步的提高存储容量,降低每比特的存储成本,提出了3D NAND存储器件。在3D NAND存储器件结构中,采用垂直堆叠多层栅极的方式,堆叠层的中心区域为核心存储区、边缘区域为台阶结构,核心存储区用于形成存储单元串,堆叠层中的导电层作为每一层存储单元的栅线,栅线通过台阶上的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。