技术编号:17926252
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电极材料制备领域,具体涉及一种导电基体生长铜纳米片的方法、导电基体复合材料及应用。背景技术铜是常见的电极材料,其中铜箔、铜网、泡沫铜是常见的物理形态,例如铜箔常作为锂电子电池的负极基体,泡沫铜也常作为一些电催化反应的电极基体,泡沫铜相比铜箔具有更高的比表面积和粗糙度,但是其孔道和骨架依然是在几十微米的尺度范围内。通过对铜基体构架纳米级的次级结构,能大幅度提高铜基体电极的比表面积和反应活性。专利201310115800.3公开了一种自组装形成铜纳米片的方法,该方法中以硫酸铜为铜源,葡萄糖...
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