技术编号:17926405
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料技术领域,具体涉及一种大尺寸单晶β-氧化镓纳米带的制备方法。背景技术β-氧化镓材料作为一种直接带隙的宽禁带半导体,拥有禁带宽度为4.9eV的超宽禁带、高的击穿电场和巴利加优值、热/化学稳定性高、对可见光的高度透明等优点。因此随着半导体材料技术的发展,氧化镓材料以其优异的物理、化学、电学等性质受到广泛的关注与研究。由于纳米材料(0维的量子点,1维的纳米线以及2维的二维材料)相对于体材料具有更大的体表面积、量子尺寸束缚效应、量子隧穿效应等特殊性质,以及不同寻常的物理特性,如:高密...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。